FDMS7650 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 94.49 грн |
| 6000+ | 87.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7650 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS7650 за ціною від 86.58 грн до 200.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench |
на замовлення 19213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V |
на замовлення 20717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS7650 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 169A; Idm: 1210A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 169A Pulsed drain current: 1210A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 209nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS7650 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 169A; Idm: 1210A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 169A Pulsed drain current: 1210A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 209nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |