на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.81 грн |
| 10+ | 82.62 грн |
| 100+ | 64.39 грн |
| 500+ | 49.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7658AS onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 112A; Idm: 670A; 89W; Power56, Power dissipation: 89W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 109nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 670A, Mounting: SMD, Case: Power56, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 112A, On-state resistance: 2.6mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMS7658AS за ціною від 50.61 грн до 102.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS7658AS | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDMS7658AS | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FDMS7658AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 112A; Idm: 670A; 89W; Power56 Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 109nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 670A Mounting: SMD Case: Power56 Drain-source voltage: 30V Drain current: 112A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
FDMS7658AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN |
товар відсутній |
|||||||||||
| FDMS7658AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 112A; Idm: 670A; 89W; Power56 Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 109nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 670A Mounting: SMD Case: Power56 Drain-source voltage: 30V Drain current: 112A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |