Продукція > ONSEMI > FDMS7678
FDMS7678

FDMS7678 onsemi

fdms7678-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS7678 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS7678 за ціною від 14.7 грн до 64.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS7678 FDMS7678 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0047 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.88 грн
500+ 19.75 грн
3000+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS7678 FDMS7678 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0047 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+56.69 грн
18+ 41.94 грн
100+ 29.88 грн
500+ 19.75 грн
3000+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDMS7678 FDMS7678 Виробник : onsemi fdms7678-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.5 грн
10+ 49.31 грн
100+ 34.15 грн
500+ 26.78 грн
1000+ 22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS7678 FDMS7678 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS7678_D-2312555.pdf MOSFET 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET
на замовлення 79784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.49 грн
10+ 49.6 грн
100+ 32.58 грн
500+ 27.91 грн
1000+ 23.7 грн
3000+ 19.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS7678 FDMS7678 Виробник : ON Semiconductor 3657772464861769fdms7678.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS7678 FDMS7678 Виробник : ON Semiconductor 3657772464861769fdms7678.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS7678 Виробник : ONSEMI fdms7678-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS7678 Виробник : ONSEMI fdms7678-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній