FDMS7698 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
242+ | 48.4 грн |
253+ | 46.16 грн |
311+ | 37.54 грн |
323+ | 34.86 грн |
500+ | 28.85 грн |
1000+ | 22.22 грн |
3000+ | 21.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7698 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS7698 за ціною від 17.25 грн до 55.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS7698 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDMS7698 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 9507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDMS7698 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDMS7698 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDMS7698 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDMS7698 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDMS7698 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 50A; 29W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDMS7698 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDMS7698 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 50A; 29W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |