FDMS8018 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 51.18 грн |
| 6000+ | 47.43 грн |
| 9000+ | 45.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8018 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm.
Інші пропозиції FDMS8018 за ціною від 41.21 грн до 134.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS8018 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8018 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS8018 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm |
на замовлення 4941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8018 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8018 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8018 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V |
на замовлення 18390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS8018 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8018 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm |
на замовлення 4187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8018 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS8018 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS8018 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 110A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS8018 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 110A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |