Продукція > ONSEMI > FDMS8020
FDMS8020

FDMS8020 onsemi

fdms8020-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8020 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS8020 за ціною від 35.29 грн до 102.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8020 FDMS8020 Виробник : onsemi fdms8020-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.83 грн
10+ 70.03 грн
100+ 54.47 грн
500+ 43.33 грн
1000+ 35.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS8020 FDMS8020 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8020_D-1807840.pdf MOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 42065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.81 грн
10+ 90.6 грн
100+ 61.22 грн
500+ 50.61 грн
1000+ 43.86 грн
3000+ 37.25 грн
9000+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS8020 FDMS8020 Виробник : ON Semiconductor 3668815380747024fdms8020.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8020 Виробник : ONSEMI fdms8020-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; Idm: 507A; 65W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 507A
Case: Power56
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8020 Виробник : ONSEMI fdms8020-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; Idm: 507A; 65W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 507A
Case: Power56
товар відсутній