FDMS8090

FDMS8090 ON Semiconductor


3654522279527032fdms8090.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+337.6 грн
10+ 302.8 грн
25+ 298.13 грн
100+ 251.78 грн
250+ 230.82 грн
500+ 201.44 грн
1000+ 197.99 грн
3000+ 194.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8090 ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56.

Інші пропозиції FDMS8090 за ціною від 197.41 грн до 435.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor 3654522279527032fdms8090.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+363.56 грн
36+ 326.09 грн
37+ 321.06 грн
100+ 271.15 грн
250+ 248.57 грн
500+ 216.93 грн
1000+ 213.21 грн
3000+ 209.56 грн
Мінімальне замовлення: 32
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : onsemi fdms8090-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.87 грн
10+ 341.64 грн
100+ 276.38 грн
500+ 230.55 грн
1000+ 197.41 грн
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8090_D-2312677.pdf MOSFET 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.98 грн
10+ 362.7 грн
25+ 312.74 грн
100+ 256.42 грн
250+ 254.43 грн
500+ 227.27 грн
1000+ 200.76 грн
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor 3654522279527032fdms8090.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor 3654522279527032fdms8090.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor 3654522279527032fdms8090.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS8090 Виробник : ONSEMI fdms8090-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 59W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : onsemi fdms8090-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
товар відсутній
FDMS8090 Виробник : ONSEMI fdms8090-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 59W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній