FDMS86101DC onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 134.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86101DC onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDMS86101DC за ціною від 123.21 грн до 312.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.006 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm |
на замовлення 5068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 186549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V |
на замовлення 5611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 26064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.006 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm |
на замовлення 5068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin Power 56 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86101DC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |