Продукція > ONSEMI > FDMS86102LZ
FDMS86102LZ

FDMS86102LZ onsemi

fdms86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+59.31 грн
6000+ 54.96 грн
9000+ 53.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86102LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86102LZ за ціною від 54.29 грн до 150.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : onsemi fdms86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 56423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.47 грн
10+ 105.2 грн
100+ 83.73 грн
500+ 66.49 грн
1000+ 56.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+139.62 грн
10+ 117.57 грн
25+ 116.4 грн
100+ 88.76 грн
250+ 79.54 грн
500+ 65.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86102LZ_D-2312583.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 15554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.25 грн
10+ 116.22 грн
100+ 79.92 грн
250+ 78.6 грн
500+ 60.17 грн
1000+ 55.48 грн
3000+ 54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+150.36 грн
93+ 126.61 грн
94+ 125.36 грн
119+ 95.59 грн
250+ 85.66 грн
500+ 70.67 грн
Мінімальне замовлення: 78
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86102LZ Виробник : ONSEMI fdms86102lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86102LZ Виробник : ONSEMI fdms86102lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній