Продукція > ONSEMI > FDMS86105
FDMS86105

FDMS86105 onsemi

fdms86105-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+55.4 грн
6000+ 51.34 грн
9000+ 49.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86105 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86105 за ціною від 50.54 грн до 122.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86105_D-2312584.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.59 грн
10+ 80.61 грн
100+ 61.42 грн
250+ 61.09 грн
500+ 56.28 грн
1000+ 51.94 грн
3000+ 50.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : onsemi fdms86105-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 22777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.77 грн
10+ 98.26 грн
100+ 78.21 грн
500+ 62.11 грн
1000+ 52.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86105 Виробник : ONSEMI fdms86105-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 30A; 48W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 57mΩ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86105 Виробник : ONSEMI fdms86105-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 30A; 48W; Power56
Mounting: SMD
Case: Power56
Polarisation: unipolar
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 57mΩ
Kind of package: reel; tape
товар відсутній