Продукція > ONSEMI > FDMS8622
FDMS8622

FDMS8622 onsemi

fdms8622-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.3 грн
6000+ 33.29 грн
9000+ 31.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8622 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS8622 за ціною від 31.33 грн до 102.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8622 FDMS8622 Виробник : ONSEMI 2729227.pdf Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.44 грн
500+ 36.86 грн
3000+ 31.97 грн
6000+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS8622 FDMS8622 Виробник : onsemi fdms8622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
на замовлення 10590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.11 грн
10+ 69.13 грн
100+ 53.78 грн
500+ 42.78 грн
1000+ 34.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS8622 FDMS8622 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8622_D-2312524.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 22251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.47 грн
10+ 75.7 грн
100+ 51.21 грн
500+ 43.39 грн
1000+ 35.38 грн
3000+ 33.25 грн
6000+ 31.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS8622 FDMS8622 Виробник : ONSEMI 2729227.pdf Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.6 грн
10+ 78.64 грн
100+ 57.44 грн
500+ 36.86 грн
3000+ 31.97 грн
6000+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDMS8622 FDMS8622 Виробник : ON Semiconductor fdms8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8622 FDMS8622 Виробник : ON Semiconductor fdms8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8622 FDMS8622 Виробник : ON Semiconductor fdms8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8622 Виробник : ONSEMI fdms8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8622 Виробник : ONSEMI fdms8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
товар відсутній