FDMS86255ET150 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 288.77 грн |
| 500+ | 216.38 грн |
| 3000+ | 187.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86255ET150 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMS86255ET150 за ціною від 187.8 грн до 497.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 44A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 276A Mounting: SMD Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 44A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 276A Mounting: SMD Case: Power56 |
товар відсутній |