FDMS86300 ON Semiconductor
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86300 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS86300 за ціною від 63.53 грн до 158.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86300 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86300 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86300 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V |
на замовлення 3179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86300 | Виробник : ONSEMI |
FDMS86300 SMD N channel transistors |
товар відсутній |