Продукція > ONSEMI > FDMS86320
FDMS86320

FDMS86320 onsemi

fdms86320-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86320 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86320 за ціною від 42.71 грн до 122.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi fdms86320-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 6783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.32 грн
10+ 83.46 грн
100+ 66.43 грн
500+ 52.76 грн
1000+ 44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor 3656385330547644fdms86320.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.92 грн
10+ 92.82 грн
25+ 91.9 грн
100+ 70.5 грн
250+ 64.12 грн
500+ 51.74 грн
1000+ 42.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86320_D-2312433.pdf MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 15186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.82 грн
10+ 92.67 грн
100+ 63.87 грн
250+ 63.28 грн
500+ 53.3 грн
1000+ 44.45 грн
3000+ 43.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor 3656385330547644fdms86320.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+122.68 грн
118+ 99.96 грн
119+ 98.97 грн
149+ 75.92 грн
250+ 69.05 грн
500+ 55.72 грн
1000+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 96
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor 3656385330547644fdms86320.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor 3656385330547644fdms86320.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor 3656385330547644fdms86320.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86320 Виробник : ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86320 Виробник : ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товар відсутній