Продукція > ONSEMI > FDMS86350ET80
FDMS86350ET80

FDMS86350ET80 ONSEMI

2907379.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+337.56 грн
100+ 292.1 грн
500+ 229.72 грн
3000+ 211.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86350ET80 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86350ET80 за ціною від 208.13 грн до 479.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : onsemi fdms86350et80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+405.98 грн
10+ 335.1 грн
100+ 279.27 грн
500+ 231.25 грн
1000+ 208.13 грн
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86350ET80_D-2312649.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.11 грн
10+ 363.61 грн
25+ 304.89 грн
100+ 263.71 грн
250+ 250.43 грн
500+ 234.48 грн
1000+ 211.23 грн
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ONSEMI 2907379.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+479.14 грн
10+ 337.56 грн
100+ 292.1 грн
500+ 229.72 грн
3000+ 211.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ON Semiconductor fdms86350et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86350ET80 Виробник : ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 187W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : onsemi fdms86350et80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
товар відсутній
FDMS86350ET80 Виробник : ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 187W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
товар відсутній