FDMS86550ET60 ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 271.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86550ET60 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS86550ET60 за ціною від 243.98 грн до 542.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86550ET60 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86550ET60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86550ET60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86550ET60 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.0014 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS86550ET60 | Виробник : ONSEMI |
FDMS86550ET60 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86550ET60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V |
товар відсутній |