Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8680
FDMS8680

FDMS8680 ON Semiconductor

3664447834987176fdms8680.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
403+29.07 грн
407+ 28.78 грн
411+ 28.5 грн
412+ 27.43 грн
413+ 25.32 грн
500+ 24.14 грн
1000+ 23.5 грн
Мінімальне замовлення: 403
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8680 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS8680 за ціною від 30.67 грн до 161.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+41.58 грн
25+ 41.43 грн
50+ 39.81 грн
100+ 35.06 грн
250+ 33.32 грн
500+ 32.65 грн
1000+ 30.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
262+44.78 грн
263+ 44.62 грн
264+ 44.46 грн
277+ 40.78 грн
280+ 37.38 грн
500+ 35.16 грн
1000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 262
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.2 грн
10+ 69.15 грн
25+ 68.1 грн
100+ 64.65 грн
250+ 58.93 грн
500+ 55.67 грн
1000+ 54.77 грн
3000+ 53.87 грн
6000+ 52.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
155+75.6 грн
158+ 74.47 грн
160+ 73.34 грн
163+ 69.63 грн
250+ 63.46 грн
500+ 59.95 грн
1000+ 58.98 грн
3000+ 58.01 грн
6000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 155
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363584-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS8680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
375+96.32 грн
Мінімальне замовлення: 375
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+111.88 грн
10+ 90.4 грн
100+ 74.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.33 грн
10+ 120.27 грн
100+ 96.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8680_D-1808058.pdf MOSFET 30V N-CHANNEL
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.05 грн
10+ 143.56 грн
25+ 118.23 грн
100+ 99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8680 Виробник : ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Gate charge: 26nC
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
товар відсутній
FDMS8680 Виробник : ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Gate charge: 26nC
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
товар відсутній