Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN335N
FDN335N

FDN335N ON Semiconductor

2709873713769144fdn335n.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN335N ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDN335N за ціною від 7.98 грн до 38.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor 2709873713769144fdn335n.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 38
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.05 грн
9000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.5 грн
9000+ 8.39 грн
24000+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.73 грн
9000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : onsemi FAIRS15854-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.8 грн
6000+ 8.95 грн
9000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.23 грн
9000+ 9.03 грн
24000+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.14 грн
12000+ 12.92 грн
24000+ 12.02 грн
36000+ 10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.53 грн
6000+ 13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.13 грн
9000+ 13.18 грн
24000+ 10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN335N FDN335N Виробник : ONSEMI 2298243.pdf Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 48148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.7 грн
500+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN335N FDN335N Виробник : ONSEMI FDN335N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+27.64 грн
25+ 15.72 грн
72+ 11.37 грн
196+ 10.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
404+28.96 грн
581+ 20.17 грн
741+ 15.8 грн
1000+ 12.39 грн
3000+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 404
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.29 грн
25+ 24.07 грн
100+ 16.54 грн
500+ 12.96 грн
1000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN335N FDN335N Виробник : onsemi FAIRS15854-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 21518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.61 грн
12+ 23.92 грн
100+ 16.63 грн
500+ 12.18 грн
1000+ 9.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN335N FDN335N Виробник : ON Semiconductor fdn335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+31.81 грн
22+ 26.9 грн
100+ 18.72 грн
500+ 14.15 грн
1000+ 10.65 грн
3000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDN335N FDN335N Виробник : onsemi / Fairchild FDN335N_D-2312862.pdf MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 121265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.86 грн
12+ 26.56 грн
100+ 16.09 грн
500+ 12.62 грн
1000+ 10.21 грн
3000+ 8.61 грн
9000+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN335N FDN335N Виробник : ONSEMI FDN335N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.16 грн
25+ 19.59 грн
72+ 13.64 грн
196+ 12.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN335N FDN335N Виробник : ONSEMI 2298243.pdf Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 48148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.2 грн
24+ 31.68 грн
100+ 19.7 грн
500+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN335N Виробник : ON-Semicoductor UMW%20FDN335N.pdf FAIRS15854-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN335N FDN335N Виробник : UMW UMW%20FDN335N.pdf Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
товар відсутній
FDN335N FDN335N Виробник : UMW UMW%20FDN335N.pdf Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
товар відсутній