на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN359AN ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDN359AN за ціною від 8.68 грн до 37.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN359AN | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN359AN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.5W Gate charge: 7nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 2.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN359AN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.5W Gate charge: 7nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 2.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN359AN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN359AN | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-3 N-CH 30V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN359AN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm |
на замовлення 7263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDN359AN | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|