FDP025N06 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
119+ | 168.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP025N06 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP025N06 за ціною від 165.4 грн до 319.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDP025N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP025N06 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP025N06 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDP025N06 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FDP025N06 Код товару: 189620 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
FDP025N06 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDP025N06 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |