FDP2D3N10C onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 411.73 грн |
| 50+ | 316.62 грн |
| 100+ | 283.29 грн |
| 500+ | 234.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP2D3N10C onsemi
Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 222A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm.
Інші пропозиції FDP2D3N10C за ціною від 207.25 грн до 473.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP2D3N10C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP2D3N10C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 222A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP2D3N10C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDP2D3N10C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A Pulsed drain current: 888A Power dissipation: 214W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDP2D3N10C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A Pulsed drain current: 888A Power dissipation: 214W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |