на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.74 грн |
| 10+ | 147.43 грн |
| 100+ | 102.96 грн |
| 500+ | 85.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP65N06 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP65N06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP65N06 |
 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
FDP65N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
FDP65N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V |
товар відсутній |