Продукція > ONSEMI > FDPF10N50UT
FDPF10N50UT

FDPF10N50UT ONSEMI

2907393.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF10N50UT ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF10N50UT за ціною від 60.98 грн до 145.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDPF10N50UT FDPF10N50UT Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS46304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
324+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 324
FDPF10N50UT FDPF10N50UT Виробник : onsemi / Fairchild FDPF10N50UT_D-2312902.pdf MOSFET 500V 8A N-Chan UniFET
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.33 грн
10+ 129.53 грн
25+ 106.68 грн
100+ 90.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF10N50UT FDPF10N50UT Виробник : ON Semiconductor fdpf10n50ut.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF10N50UT FDPF10N50UT Виробник : onsemi fdpf10n50ut-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
товар відсутній