FDPF190N15A ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 174.37 грн |
| 10+ | 153.5 грн |
| 100+ | 123.7 грн |
| 500+ | 101.71 грн |
| 1000+ | 77.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF190N15A ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDPF190N15A за ціною від 87.02 грн до 210.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPF190N15A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 27.4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 27.4A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2685 pF @ 25 V |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPF190N15A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V NCHAN PwrTrench |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDPF190N15A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDPF190N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDPF190N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDPF190N15A | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17.4A; Idm: 110A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17.4A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDPF190N15A | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17.4A; Idm: 110A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17.4A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |