FDPF3860T ON Semiconductor
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDPF3860T ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33.8W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0291ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDPF3860T за ціною від 34.21 грн до 113.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDPF3860T | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDPF3860T | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPF3860T | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V 20A 38.2mOhm |
на замовлення 9930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDPF3860T | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.8W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0291ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDPF3860T | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38,2mOhm; 20A; 33,8W; -55°C ~ 150°C; FDPF3860T TFDPF3860t кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDPF3860T | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDPF3860T | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.7A; 33.8W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12.7A Power dissipation: 33.8W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDPF3860T | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDPF3860T | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.7A; 33.8W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12.7A Power dissipation: 33.8W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |