FDS3572 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.44 грн |
5000+ | 43.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS3572 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDS3572 за ціною від 42.71 грн до 122.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS3572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V |
на замовлення 7070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 5.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS3572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 5.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |