FDS4435A

FDS4435A onsemi


FDS4435A.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.04 грн
10+ 56.6 грн
100+ 44.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4435A onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції FDS4435A за ціною від 87.14 грн до 132.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS4435A FDS4435A Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+87.14 грн
Мінімальне замовлення: 229
FDS4435A FDS4435A Виробник : ONSEMI FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
276+132.23 грн
Мінімальне замовлення: 276
FDS4435A Виробник : FAIRCHILD FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A Виробник : FSC FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf 09+ SO-8
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A Виробник : FSC FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A Виробник : FAIRCHILD FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A Виробник : FAIRCHIL FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf SOP8
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A Виробник : FAIRCHIL FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A Виробник : FAIR FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf SOP8
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A Виробник : FAI FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf 2001+ SMD
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A Виробник : FAI FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS4435A.pdf 00+
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A FDS4435A Виробник : ON Semiconductor fds4435a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435A FDS4435A Виробник : ON Semiconductor fds4435a-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435A FDS4435A Виробник : onsemi FDS4435A.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4435A FDS4435A Виробник : ON Semiconductor fds4435a-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435A FDS4435A Виробник : onsemi / Fairchild onsm_s_a0009678638_1-2279910.pdf MOSFET SO-8 P-CH -30V
товар відсутній