на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4465 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDS4465 за ціною від 42.77 грн до 125 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS4465 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V |
на замовлення 4932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4465 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4465 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4465 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V |
на замовлення 4932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4465 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
на замовлення 14266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4465 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -13.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 822 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS4465 | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
FDS4465 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |