FDS6570A ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 44.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6570A ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDS6570A за ціною від 44.64 грн до 128.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS6570A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6570A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDS6570A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 N-CH 20V |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDS6570A | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FDS6570A | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FDS6570A | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
FDS6570A Код товару: 193947 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
| FDS6570A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
| FDS6570A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
FDS6570A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FDS6570A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FDS6570A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FDS6570A | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V |
товар відсутній |