FDS6675. ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 11, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).