Продукція > ONSEMI > FDS6681Z
FDS6681Z

FDS6681Z onsemi

FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+63.28 грн
5000+ 58.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6681Z onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6681Z за ціною від 60.2 грн до 168.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor 1836585069704166fds6681z.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+82.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ONSEMI 2298621.pdf Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+99.61 грн
500+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : onsemi FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 25529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.1 грн
10+ 112.24 грн
100+ 89.34 грн
500+ 70.94 грн
1000+ 60.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+149.53 грн
10+ 123.81 грн
25+ 122.58 грн
100+ 96.41 грн
250+ 60.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : onsemi / Fairchild FDS6681Z_D-2312847.pdf MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 115988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.88 грн
10+ 125.14 грн
100+ 86.79 грн
250+ 86.12 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 63.36 грн
2500+ 62.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+161.03 грн
88+ 133.33 грн
89+ 132.01 грн
109+ 103.82 грн
250+ 65.24 грн
Мінімальне замовлення: 73
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ONSEMI 2298621.pdf Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+168.51 грн
10+ 125.07 грн
100+ 99.61 грн
500+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6681Z Виробник : ON-Semicoductor FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor 1836585069704166fds6681z.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ONSEMI FDS6681Z.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ONSEMI FDS6681Z.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній