FDS6898A onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.02 грн |
| 5000+ | 26.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6898A onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS6898A за ціною від 13.22 грн до 624 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6898A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6898A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 8724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6898A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS6898A | Виробник : Fairchild |
2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDS6898A | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 9,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10; Qg, нКл = 23 @ 4,5 В; Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,9; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDS6898A Код товару: 46542 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6898A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |