FDS6930B ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 31.56 грн |
| 25+ | 28 грн |
| 39+ | 20.73 грн |
| 106+ | 19.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6930B ONSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS6930B за ціною від 12.91 грн до 45.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS6930B | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A On-state resistance: 62mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.8nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2434 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6930B | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6930B | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH |
на замовлення 31934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
FDS6930B Код товару: 118461 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDS6930B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS6930B | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |