FDS8690 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.88 грн |
| 10+ | 92.35 грн |
| 100+ | 72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8690 onsemi
Description: ONSEMI - FDS8690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 14, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDS8690 за ціною від 54.24 грн до 125.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8690 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 14 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDS8690 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
 |
FDS8690 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FDS8690 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V |
товар відсутній |