Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8842NZ
FDS8842NZ

FDS8842NZ ON Semiconductor

3651904331436628fds8842nz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8842NZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS8842NZ за ціною від 28.22 грн до 130.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : onsemi fds8842nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.77 грн
5000+ 28.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.27 грн
5000+ 44.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.87 грн
5000+ 44.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : onsemi fds8842nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.38 грн
10+ 58.62 грн
100+ 45.59 грн
500+ 36.26 грн
1000+ 29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS8842NZ_D-2313101.pdf MOSFET 40V NCh PowerTrench w/MOSFET
на замовлення 14114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.17 грн
10+ 105.18 грн
100+ 74.11 грн
500+ 60.55 грн
1000+ 50.2 грн
2500+ 42.93 грн
5000+ 42.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS8842NZ Виробник : ONSEMI 2907404.pdf Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+83.13 грн
500+ 53.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8842NZ Виробник : ONSEMI 2907404.pdf Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 14.9
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+130.31 грн
10+ 107.1 грн
100+ 83.13 грн
500+ 53.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8842NZ FDS8842NZ Виробник : ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній