FDS89141 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 84.85 грн |
5000+ | 78.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS89141 onsemi
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 31W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 31W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDS89141 за ціною від 80.72 грн до 241.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS89141 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 22725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 31W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 31W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS89141 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047 Verlustleistung, p-Kanal: 31 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDS89141 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |