Продукція > ONSEMI > FDS89161
FDS89161

FDS89161 onsemi

fds89161-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 21750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.98 грн
5000+ 43.53 грн
12500+ 42.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89161 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS89161 за ціною від 33.43 грн до 112.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS89161 FDS89161 Виробник : ONSEMI FDS89161.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.5 грн
13+ 66.07 грн
34+ 62.59 грн
500+ 59.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+96.63 грн
139+ 84.44 грн
140+ 83.82 грн
167+ 67.71 грн
250+ 62.2 грн
500+ 51.98 грн
1000+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 122
FDS89161 FDS89161 Виробник : onsemi fds89161-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 21835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.99 грн
10+ 83.38 грн
100+ 66.32 грн
500+ 52.67 грн
1000+ 44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS89161 FDS89161 Виробник : ONSEMI FDS89161.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.54 грн
5+ 95.33 грн
13+ 79.28 грн
34+ 75.11 грн
500+ 71.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+111.08 грн
10+ 91.94 грн
25+ 91.02 грн
100+ 69.45 грн
250+ 63.66 грн
500+ 51.32 грн
1000+ 41.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS89161 FDS89161 Виробник : onsemi / Fairchild FDS89161_D-2313005.pdf MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.94 грн
10+ 92.9 грн
100+ 64.56 грн
250+ 59.15 грн
500+ 55.41 грн
1000+ 47 грн
2500+ 46.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS89161 Виробник : Fairchild fds89161-d.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS89161 FDS89161 Виробник : ON Semiconductor 3295210171995354fds89161.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній