Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8949
FDS8949

FDS8949 ON Semiconductor

fds8949-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8949 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2W, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS8949 за ціною від 27.84 грн до 133.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.66 грн
5000+ 31.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.17 грн
5000+ 33.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
171+68.4 грн
187+ 62.67 грн
223+ 52.41 грн
Мінімальне замовлення: 171
FDS8949 FDS8949 Виробник : onsemi fds8949-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.48 грн
10+ 57.65 грн
100+ 44.83 грн
500+ 35.66 грн
1000+ 29.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77.98 грн
10+ 63.52 грн
25+ 58.19 грн
100+ 46.93 грн
250+ 28.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS8949 FDS8949 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8949_D-2313285.pdf MOSFET 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
на замовлення 97802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.25 грн
10+ 64.1 грн
100+ 43.35 грн
500+ 36.76 грн
1000+ 29.97 грн
2500+ 28.77 грн
5000+ 27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+80.28 грн
147+ 79.49 грн
149+ 78.7 грн
250+ 75.13 грн
500+ 68.86 грн
1000+ 65.44 грн
Мінімальне замовлення: 146
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.15 грн
10+ 76.2 грн
100+ 54.16 грн
500+ 42.25 грн
1000+ 31.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI FDS8949.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+111.31 грн
7+ 54.8 грн
20+ 41.62 грн
54+ 38.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS8949 FDS8949 Виробник : ONSEMI FDS8949.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.57 грн
5+ 68.29 грн
20+ 49.95 грн
54+ 46.62 грн
500+ 44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS8949 Виробник : Fairchild fds8949-d.pdf 2N-MOSFET 40V 6A 29mΩ 2W FDS8949 Fairchild TFDS8949
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS8949
Код товару: 162449 		fds8949-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8949 FDS8949 Виробник : ON Semiconductor fds8949-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8949 FDS8949 Виробник : onsemi fds8949-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній