FDS8958A Fairchild
Код товару: 34126
Виробник: FairchildUds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/10,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 81 шт:
58 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS8958A за ціною від 19.78 грн до 132.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS8958A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A On-state resistance: 40/80mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-5A On-state resistance: 40/80mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1515 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R |
на замовлення 18930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : Fairchild |
DUAN N&P -CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 70A/30V, -5A30V FDS8958A SOP08 TFDS8958a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS8958A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
SP8M3FU6TB Код товару: 26073 |
Виробник: Rohm
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 29 грн |
10+ | 27 грн |
BZX55-C12 Код товару: 26387 |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 3537 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
1000+ | 0.8 грн |
BSS138LT1G (SOT-23, ON) Код товару: 28421 |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,200 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,200 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
Монтаж: SMD
товар відсутній
SCB0704-102М (1000uH, ±20%, 0.18A, 6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm; в броньовому осерді) Anla Tech (дросель силовий) Код товару: 39169 |
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 mH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 1000uH, ±20%, Idc=0.18А, Rdc=6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB0704
Габарити: 7,3x7,3мм, h=4,6мм
Робочий струм, А: 0.18A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 mH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 1000uH, ±20%, Idc=0.18А, Rdc=6.0 Ohm, SMD: 7.3x7.3mm, h=4.6mm
Тип: SCB0704
Габарити: 7,3x7,3мм, h=4,6мм
Робочий струм, А: 0.18A
у наявності: 809 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16 грн |
10+ | 14.5 грн |
100+ | 12.9 грн |
IGW60T120 Код товару: 114731 |
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/9,4
у наявності: 58 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 204 грн |
10+ | 189.2 грн |