FDS8978 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.15 грн |
| 5000+ | 23.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8978 onsemi
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDS8978 за ціною від 20.59 грн до 76.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8978 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8978 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Last Time Buy |
на замовлення 7728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8978 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8978 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8978 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS8978 | Виробник : Fairchild |
2x N-MOSFET 30V 7.5A 1.6W FDS8978 TFDS8978 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDS8978 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDS8978 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
FDS8978 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 49A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 49A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS8978 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDS8978 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS8978 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 49A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 49A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |