Продукція > ONSEMI > FDT86256
FDT86256

FDT86256 ONSEMI

2729247.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.76 грн
500+ 35.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86256 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDT86256 за ціною від 34.5 грн до 90.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDT86256 FDT86256 Виробник : onsemi / Fairchild FDT86256_D-2313071.pdf MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.35 грн
10+ 71.91 грн
100+ 50.81 грн
500+ 44.08 грн
1000+ 36.69 грн
2000+ 34.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86256 FDT86256 Виробник : ONSEMI 2729247.pdf Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+85.16 грн
11+ 70.22 грн
100+ 54.76 грн
500+ 35.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDT86256 FDT86256 Виробник : onsemi fdt86256-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.05 грн
10+ 70.69 грн
100+ 54.97 грн
500+ 43.72 грн
1000+ 35.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86256
Код товару: 188041 		fdt86256-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDT86256 FDT86256 Виробник : ON Semiconductor 3663737319408651fdt86256.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86256 FDT86256 Виробник : ON Semiconductor 3663737319408651fdt86256.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86256 FDT86256 Виробник : onsemi fdt86256-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
товар відсутній