FDY1002PZ ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDY1002PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 625mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDY1002PZ за ціною від 9.92 грн до 46.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDY1002PZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 446mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563F Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDY1002PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm Verlustleistung, p-Kanal: 625mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDY1002PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 446mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563F Part Status: Active |
на замовлення 24605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDY1002PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH |
на замовлення 94079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDY1002PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm Verlustleistung, p-Kanal: 625mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDY1002PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.83A; 0.625W; SOT563F Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.83A Power dissipation: 0.625W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDY1002PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.83A; 0.625W; SOT563F Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.83A Power dissipation: 0.625W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |