FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7659.78 грн |
| 10+ | 6893.4 грн |
| 24+ | 5717.93 грн |
| 48+ | 5591.72 грн |
| 120+ | 5453.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FF17MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 7061.12 грн до 9986.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SIC 1200V AG-EASY1BPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
FF17MR12W1M1H_B11 |
товар відсутній |