FF45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3952.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції FF45MR12W1M1B11BOMA1 за ціною від 4565.45 грн до 6753.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: AG-EASY1BM-2 Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-Fit Polarisation: unipolar On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 50A Technology: CoolSiC™ MOSFET; SiC Gate-source voltage: -10...20V Mechanical mounting: screw |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: AG-EASY1BM-2 Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-Fit Polarisation: unipolar On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 50A Technology: CoolSiC™ MOSFET; SiC Gate-source voltage: -10...20V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |