Продукція > ONSEMI > FFB5551
FFB5551

FFB5551 ONSEMI

2907500.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 80
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFB5551 ONSEMI

Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FFB5551 за ціною від 7.88 грн до 33.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFB5551 FFB5551 Виробник : ONSEMI 2907500.pdf Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
FFB5551 FFB5551 Виробник : ON Semiconductor ffb5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FFB5551 FFB5551 Виробник : onsemi ffb5551-d.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.46 грн
6000+ 10.48 грн
9000+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FFB5551 FFB5551 Виробник : onsemi / Fairchild FFB5551_D-2312884.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.68 грн
13+ 25.34 грн
100+ 16.49 грн
500+ 12.95 грн
1000+ 10.08 грн
3000+ 8.48 грн
9000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
FFB5551 FFB5551 Виробник : onsemi ffb5551-d.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 33421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.94 грн
10+ 28.03 грн
100+ 19.46 грн
500+ 14.26 грн
1000+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
FFB5551 Виробник : FAIRCHILD ffb5551-d.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FFB5551 FFB5551 Виробник : ON Semiconductor ffb5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FFB5551 FFB5551 Виробник : ON Semiconductor ffb5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
FFB5551 Виробник : ONSEMI ffb5551-d.pdf FFB5551 NPN SMD transistors
товар відсутній