на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 983.28 грн |
10+ | 920.46 грн |
30+ | 743.86 грн |
60+ | 725.68 грн |
120+ | 710.87 грн |
270+ | 700.1 грн |
510+ | 669.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH20120A-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSH20120A-F085 за ціною від 663.59 грн до 1063.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FFSH20120A-F085 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|