на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 497.71 грн |
| 10+ | 446.07 грн |
| 100+ | 305.1 грн |
| 250+ | 291.75 грн |
| 500+ | 269.05 грн |
| 800+ | 241.68 грн |
| 2400+ | 230.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP3065B-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSP3065B-F085 за ціною від 307.86 грн до 540.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP3065B-F085 | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FFSP3065B-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FFSP3065B-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |