Технічний опис FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
Description: IGBT 1200V 30A 186W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 330 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns, Switching Energy: 3mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 186 W.
Інші пропозиції FGA15N120ANTDTU_F109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FGA15N120ANTDTU-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 34010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FGA15N120ANTDTU-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|
 |
FGA15N120ANTDTU-F109 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA15N120ANTDTU-F109 - IGBT, 30 A, 2.3 V, 186 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.3 DC-Kollektorstrom: 30 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 186 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|
 |
FGA15N120ANTDTU-F109 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 1200V 30A 186W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 330 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns Switching Energy: 3mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 186 W |
товар відсутній |
|
 |
FGA15N120ANTDTU_F109 | Виробник : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 1200V NPT Trench |
товар відсутній |
|
|
|
FGA15N120ANTDTU-F109 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 1200V NPT Trench |
товар відсутній |