FGA40T65SHD onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 241.93 грн |
10+ | 195.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA40T65SHD onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns, Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 72.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGA40T65SHD за ціною від 119.5 грн до 259.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGA40T65SHD | Виробник : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGA40T65SHD | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGA40T65SHD | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGA40T65SHD | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |