FGA50N100BNTTU

FGA50N100BNTTU Fairchild Semiconductor


FAIRS27592-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 50A, 1000V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 257 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 2102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+173.38 грн
Мінімальне замовлення: 116
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA50N100BNTTU Fairchild Semiconductor

Description: IGBT, 50A, 1000V, N-CHANNEL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 257 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 156 W.

Інші пропозиції FGA50N100BNTTU за ціною від 179.74 грн до 179.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGA50N100BNTTU Виробник : ONSEMI FAIRS27592-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGA50N100BNTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+179.74 грн
Мінімальне замовлення: 139
FGA50N100BNTTU FGA50N100BNTTU Виробник : onsemi FGA50N100BNT.pdf Description: IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 257 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 156 W
товар відсутній